| 利用X射线光电子谱对PtSi/p-si(111)的电子结构研究 |
| |
| 引用本文： | 李雪,殷景华. 利用X射线光电子谱对PtSi/p-si(111)的电子结构研究[J]. 哈尔滨理工大学学报, 2001, 6(5): 108-111 |
| |
| 作者姓名： | 李雪 殷景华 |
| |
| 作者单位： | 哈尔滨理工大学应用科学学院, |
| |
| 摘 要： | 利用磁控溅射方法制备了不同工艺条件下的 ＰｔＳｉ／ ｐ-Ｓｉ异质薄膜，采用Ｘ射线光电子讲（ＸＰＳ）测试其芯能级和价电子能谱．结果表明，其相形成由表面到界面为Ｐｔ，Ｐｔ＿２Ｓｉ，ＰｔＳｉ，材底温度的升高与沉积薄Ｐｔ膜有利于单一ＰｔＳｉ的形成，并揭示其价电子谱中谱峰出现的原因．
|
| 关 键 词： | PtSi X射线光电子谱 电子结构 价电子谱 |
| 文章编号： | 1007-2683(2001)05-0108-04 |
| 修稿时间： | 2001-05-31 |
XPS Study on Electronic Structure for PtSi/p-Si(111) |
| |
| LI Xue,YIN .Jing-hua. XPS Study on Electronic Structure for PtSi/p-Si(111)[J]. Journal of Harbin University of Science and Technology, 2001, 6(5): 108-111 |
| |
| Authors: | LI Xue YIN .Jing-hua |
| |
| Abstract: | |
| |
| Keywords: | PtSi XPS electronic structure valence band spectrum |
| 本文献已被 CNKI 维普 万方数据 等数据库收录！ |
