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| 化学气相沉积铜薄膜研究进展 | |
| 引用本文： | 陶波,王琦.化学气相沉积铜薄膜研究进展[J].真空科学与技术,2003,23(5):340-346. |
| 作者姓名： | 陶波 王琦 |
| 作者单位： | 浙江大学化学系，浙江杭州310027 |
| 摘 要： | 本综术了集成电路工艺的Cu布线中Cu薄膜化学气相沉积(CVD)的研究背景，详细介绍了CVD生长Cu金属薄膜的国内外研究进展及CVD对前趋物的要求，并对前趋物的一些物理、化学性质进行了总结，最后，对薄膜沉积的计算机摸拟作了简要介绍。 |
| 关 键 词： | 铜薄膜 化学气相沉积（CVD） 前趋物 |
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