SI-GaAs中EL2、Cr杂质低温近红外吸收带

本工作利用近红外光谱法和低温测量技术对非掺杂和掺 CrSI-Ga As 中 El2能级和 Cr 杂质吸收带进行了详细对比研究。观察了它们各自的温度、光照特性。特别是对 EL2深能级内部结构研究取得满意结果,在国内首次观察到 El2深能级的低温光淬灭效应,成功地获得了 El2能级的的精细结构,深入研究了 El2能级的理论模型。