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| 锗硅基区异质结双极型晶体管(GeSi-HBT)的研制 | |
| 作者姓名： | 韩平 胡立群 王荣华 江若琏 顾书林 朱顺明 张荣 郑有炓 茅保华 傅义珠 汪建元 熊承堃 |
| 作者单位： | 南京大学物理系 210008(韩平，胡立群，王荣华，江若琏，顾书林，朱顺明，张荣，郑有炓)，南京电子器件研究所 210016(茅保华，傅义珠，汪建元)，南京电子器件研究所 210016(熊承堃) |
| 摘 要： | <正>GeSi/Si异质结构材料因其物理特性及其与硅平面工艺的相容性,是制备一系列高频、高速、低温器件的新型半导体材料,可用于通讯、雷达、遥感、计算机、低温电子学等领域。 南京大学与南京电子器件研究所合作,在国内首次研制出GeSi-HBT器件。该器件结构如图1所示。在N~+-Si(100)衬底上外延n-Si层作为集电区,采用快速辐射加热/超低压化学气相淀积(RRH/VLP-CVD)外延方法制备掺硼的GeSi基区,用PECVD方法生长掺磷的p-Si:H发射区。工艺上采取了一系列措施,完成了GeSi-HBT器件的制备。 |
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