| 一种高频超宽带低插损大衰减范围CMOS数字步进衰减器 |
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| 引用本文： | 秦谋,袁波,陈罡子,李家祎,万天才.一种高频超宽带低插损大衰减范围CMOS数字步进衰减器[J].微电子学,2022,52(6):931-935. |
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| 作者姓名： | 秦谋 袁波 陈罡子 李家祎 万天才 |
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| 作者单位： | 中国电子科技集团公司 第二十四研究所, 重庆 400060;重庆西南集成电路设计有限责任公司, 重庆 401332 |
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| 摘 要： | 设计并实现了一种基于65 nm CMOS工艺的低插入损耗大衰减范围的高频超宽带数字步进衰减器。采用桥T型和π型衰减网络的开关内嵌式衰减结构,该结构具有端口匹配好、衰减精度高的特点;采用恒定负压偏置设计,减小了插入损耗,提高了高频超宽带性能;采用高匹配度的衰减位级联设计,实现了大衰减范围下的高精度衰减。经测试,在10 MHz~30 GHz频带范围内最大衰减量为31.5 dB,衰减步进为0.5 dB,参考态插入损耗<3.5 dB,衰减误差均方根值<0.45 dB。芯片总面积为2.30×1.20 mm^(2)。
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| 关 键 词： | 数字衰减器 CMOS 超宽带 低插入损耗 |
| 收稿时间： | 2022/8/25 0:00:00 |
A High Frequency Ultra-Wideband CMOS Digital Step Attenuator with Low Insertion Loss and Large Attenuation Range |
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| QIN Mou,YUAN Bo,CHEN Gangzi,LI Jiayi,WAN Tiancai.A High Frequency Ultra-Wideband CMOS Digital Step Attenuator with Low Insertion Loss and Large Attenuation Range[J].Microelectronics,2022,52(6):931-935. |
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| Authors: | QIN Mou YUAN Bo CHEN Gangzi LI Jiayi WAN Tiancai |
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| Affiliation: | The 24th Research Institute of China Electronics Technology Group Corporation, Chongqing 400060, P.R.China;Southwest Integrated Circuit Design Co., Ltd., Chongqing 401332, P.R.China |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | digital attenuator CMOS ultra-wideband low insertion loss |
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