| 22 nm体硅nFinFET总剂量辐射效应研究 |
| |
| 引用本文： | 崔旭,崔江维,郑齐文,魏莹,李豫东,郭旗.22 nm体硅nFinFET总剂量辐射效应研究[J].微电子学,2022,52(6):1076-1080. |
| |
| 作者姓名： | 崔旭 崔江维 郑齐文 魏莹 李豫东 郭旗 |
| |
| 作者单位： | 中国科学院新疆理化技术研究所 中国科学院特殊环境功能材料与器件重点实验室, 乌鲁木齐 830011; 中国科学院新疆理化技术研究所 新疆电子信息材料与器件重点实验室, 乌鲁木齐 830011; 中国科学院大学, 北京 100049 |
| |
| 基金项目： | 中国科学院青年创新促进会资助项目(2018473)；中国科学院西部之光资助项目(2019-XBQNXZ-A-003)；国家自然科学基金资助项目(11805268,12075313)；新疆维吾尔自治区自然科学基金资助项目(2021D01E06) |
| |
| 摘 要： | 通过^(60)Coγ射线辐照试验,研究了22 nm工艺体硅nFinFET的总剂量辐射效应,获得了总剂量辐射损伤随辐照偏置和器件结构的变化规律及损伤机理。研究结果表明,经过开态(ON)偏置辐照后器件阈值电压正向漂移,而传输态(TG)和关态(OFF)偏置辐照后器件阈值电压负向漂移;鳍数较少的器件阈值电压退化程度较大。通过分析陷阱电荷作用过程,揭示了产生上述试验现象的原因。
|
| 关 键 词： | 体硅nFinFET 总剂量辐射效应 辐照偏置 |
| 收稿时间： | 2021/11/30 0:00:00 |
Study on Total Ionizing Dose Effect of 22 nm Bulk Silicon nFinFET |
| |
| CUI Xu,CUI Jiangwei,ZHENG Qiwen,WEI Ying,LI Yudong,GUO Qi.Study on Total Ionizing Dose Effect of 22 nm Bulk Silicon nFinFET[J].Microelectronics,2022,52(6):1076-1080. |
| |
| Authors: | CUI Xu CUI Jiangwei ZHENG Qiwen WEI Ying LI Yudong GUO Qi |
| |
| Affiliation: | 1. Key Lab. of Functional Materials and Devices for Special Environments, Xinjiang Technical Institute of Physics and Chemistry, Chinese Academy of Sciences, Urumqi 830011, P. R. China;2. Xinjiang Key Lab. of Elec. Information Material and Device, Urumgi 830011, P. R. China;3. University of Chinese Academy of Sciences, Beijing 100049, P. R. China |
| |
| Abstract: | |
| |
| Keywords: | bulk silicon nFinFET total ionizing dose effect irradiation bias |
| 本文献已被 维普 等数据库收录！ |
| 点击此处可从《微电子学》浏览原始摘要信息 |
|
点击此处可从《微电子学》下载全文 |
|
