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一种高速高可靠性低功耗的电平位移电路
引用本文:刘媛媛,林治屹,秦尧,吴之久,明鑫,张波. 一种高速高可靠性低功耗的电平位移电路[J]. 微电子学, 2022, 52(6): 981-986
作者姓名:刘媛媛  林治屹  秦尧  吴之久  明鑫  张波
作者单位:1. 电子科技大学 电子薄膜与集成器件国家重点实验室, 成都 610054;2. 电子科技大学 重庆微电子产业技术研究院, 重庆 401331
基金项目:国家自然科学基金资助项目(61974019)
摘    要:为了满足MHz以上频率的GaN半桥栅驱动系统的应用需求,提出了一种高速高可靠性低功耗的低FOM电平位移电路。串联可控正反馈电平位移电路通过仅在转换过程中减弱正反馈力度,实现了低传输延迟和高共模噪声抗扰能力,同时采用最小短脉冲电路设计以降低功耗。该电平位移电路基于0.5μm 80 V高压(HV)CMOS工艺进行设计与仿真验证,结果表明,电路具有960 ps的传输延时、50 V/ns的共模噪声抗扰能力和0.024 ns/(μm·V)的FOM值。

关 键 词:GaN半桥栅驱动  最小短脉冲  电平位移电路
收稿时间:2021-11-26

A High Speed High Reliability and Low Power Level Shifter
LIU Yuanyuan,LIN Zhiyi,QIN Yao,WU Zhijiu,MING Xin,ZHANG Bo. A High Speed High Reliability and Low Power Level Shifter[J]. Microelectronics, 2022, 52(6): 981-986
Authors:LIU Yuanyuan  LIN Zhiyi  QIN Yao  WU Zhijiu  MING Xin  ZHANG Bo
Affiliation:1. State Key Lab. of Elec. Thin Films and Integr. Dev.,Univ. of Elec. Sci. and Technol. of China, Chengdu 610054, P. R. China;2. Chongqing Institute of Microelectronics Industry Technology, UESTC, Chongqing 401331, P. R. China
Abstract:
Keywords:level shifter   GaN half-bridge gate drive   minimum short pulse
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