| 重掺杂突变InP/InGaAs HBT界面势垒扰动对电流传输的影响 |
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| 引用本文： | 周守利,崇英哲,黄永清,任晓敏. 重掺杂突变InP/InGaAs HBT界面势垒扰动对电流传输的影响[J]. 半导体技术, 2005, 30(3): 20-23 |
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| 作者姓名： | 周守利 崇英哲 黄永清 任晓敏 |
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| 作者单位： | 北京邮电大学,北京,100876;北京邮电大学,北京,100876;北京邮电大学,北京,100876;北京邮电大学,北京,100876 |
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| 基金项目： | 国家重点基础研究发展计划(973计划) , 高等学校博士学科点专项科研项目 |
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| 摘 要： | 基区重掺杂使HBT突变结界面势垒形状及高度发生了扰动,这种扰动对电流输运特性有重要的影响.本文基于热场发射-扩散模型,分析了基区重掺杂突变InP/InGaAs HBT中的电流传输特性,并同实验测试数据进行了比较.结果表明:为了精确地描述电流传输特性,基区重掺杂情况下,必须考虑突变结界面势垒形状及高度扰动所引起的电流变化.
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| 关 键 词： | HBT 热场发射扩散 重掺杂效应 |
| 文章编号： | 1003-353X(2005)03-0020-04 |
| 修稿时间： | 2004-05-15 |
Effect of Interface Barrier Disturb of Heavily Doped Abrupt InP/InGaAs HBT on the Current Transmission |
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| ZHOU Shou-li,CHONG Ying-zhe,HUANG Yong-qing,REN Xiao-min. Effect of Interface Barrier Disturb of Heavily Doped Abrupt InP/InGaAs HBT on the Current Transmission[J]. Semiconductor Technology, 2005, 30(3): 20-23 |
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| Authors: | ZHOU Shou-li CHONG Ying-zhe HUANG Yong-qing REN Xiao-min |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | HBT thermioic-field-diffusion heavy doping effects |
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