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| HgCdTe低压回流液相外延生长 | |
| 引用本文： | 陈新强,沈寿珍,俞振中,金刚.HgCdTe低压回流液相外延生长[J].红外与毫米波学报,1986,5(5). |
| 作者姓名： | 陈新强 沈寿珍 俞振中 金刚 |
| 作者单位： | 中国科学院上海技术物理研究所 (陈新强，沈寿珍，俞振中)，中国科学院上海技术物理研究所(金刚) |
| 摘 要： | 在HgCdTe晶体的LPE生长过程中,汞的挥发将造成母液成分与工艺条件的不断变化,其结果甚至导致整个长晶工艺的失败。本工艺的特点是使汞蒸气压在LPE长晶管内持续地进行回流,从而达到维持母液内汞原子含量不变的目的。 |
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