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| Mg掺杂AlInP 650 nm LD外延片的Zn扩散研究 | |
| 引用本文： | 李树强,马德营,夏伟,陈秀芳,张新,任忠祥,徐现刚,蒋民华. Mg掺杂AlInP 650 nm LD外延片的Zn扩散研究[J]. 光电子．激光, 2006, 17(7): 854-856 |
| 作者姓名： | 李树强 马德营 夏伟 陈秀芳 张新 任忠祥 徐现刚 蒋民华 |
| 作者单位： | 1. 山东大学晶体材料国家重点实验室,山东,济南,250100;山东华光光电子有限公司,山东,济南,250101 2. 山东大学晶体材料国家重点实验室,山东,济南,250100 3. 山东华光光电子有限公司,山东,济南,250101 |
| 摘 要： | 利用石英闭管法,对Mg掺杂AlInP 650 nm LD外延片进行Zn扩散,分析了扩散温度和时间2个参数对Zn扩散的影响.采用光致发光(PL)谱和电化学蒸涂(ECV)方法研究了Zn扩散产生的影响.PL谱结果表明,Zn扩散引起了AlGaInP/GaInP多量子阱(MQW)有源层的组分无序,使PL谱的峰值蓝移,最大蓝移为54 nm,约175 meV.ECV测量结果显示,Zn已经扩散到MQW有源区,MQW区域的p型载流子浓度为4.4×1017 cm-3. |
| 关 键 词： | AlGaInP/GaInP量子阱 Zn扩散 组分无序 |
| 文章编号： | 1005-0086（2006）07-0854-03 |
| 收稿时间： | 2005-11-19 |
| 修稿时间： | 2005-11-192006-03-20 |
Zinc Diffusion in 650 nm Laser Diode Epitaxy Wafer with Mg Doped AlInP Layer |
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| LI Shu-qiang,MA De-ying,XIA Wei,CHEN Xiu-fang,ZHANG Xin,REN Zhong-xiang,XU Xian-gang,JIANG Min-hua. Zinc Diffusion in 650 nm Laser Diode Epitaxy Wafer with Mg Doped AlInP Layer[J]. Journal of Optoelectronics·laser, 2006, 17(7): 854-856 | |
| Authors: | LI Shu-qiang MA De-ying XIA Wei CHEN Xiu-fang ZHANG Xin REN Zhong-xiang XU Xian-gang JIANG Min-hua |
| Abstract: | |
| Keywords: | AlGaInP/GaInP quantum wells Zn diffusion layer disordered |
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