| Mg掺杂AlInP 650 nm LD外延片的Zn扩散研究 |
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| 作者姓名： | 李树强 马德营 夏伟 陈秀芳 张新 任忠祥 徐现刚 蒋民华 |
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| 作者单位： | 1. 山东大学晶体材料国家重点实验室,山东,济南,250100;山东华光光电子有限公司,山东,济南,250101
2. 山东大学晶体材料国家重点实验室,山东,济南,250100
3. 山东华光光电子有限公司,山东,济南,250101 |
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| 摘 要： | 利用石英闭管法,对Mg掺杂AlInP 650 nm LD外延片进行Zn扩散,分析了扩散温度和时间2个参数对Zn扩散的影响.采用光致发光(PL)谱和电化学蒸涂(ECV)方法研究了Zn扩散产生的影响.PL谱结果表明,Zn扩散引起了AlGaInP/GaInP多量子阱(MQW)有源层的组分无序,使PL谱的峰值蓝移,最大蓝移为54 nm,约175 meV.ECV测量结果显示,Zn已经扩散到MQW有源区,MQW区域的p型载流子浓度为4.4×1017 cm-3.
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| 关 键 词： | AlGaInP/GaInP量子阱 Zn扩散 组分无序 |
| 文章编号： | 1005-0086（2006）07-0854-03 |
| 收稿时间： | 2005-11-19 |
| 修稿时间： | 2005-11-192006-03-20 |
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