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热处理对Ir_xO_y-SnO_2/Ti电极电容稳定性的影响
作者姓名:邵艳群  娄长影  林星星  唐电
作者单位:福州大学材料科学与工程学院;福州大学至诚学院材料科学与工程系;
基金项目:国家自然科学基金(50971043);福建省教育厅项目(JA11018);国家级大学生创新创业训练(201213470007)
摘    要:以H2IrCl6和SnCl4为源物质,Ir和Sn原子摩尔比4∶6为组成,采用热分解法制备了Ir x O y-SnO2/Ti电极。通过X射线光电子能谱分析(XPS)和循环伏安测试法分析了热处理温度和保温时间对电极的组成、稳定比电容和反应激活能的影响。结果表明:电极材料由+3价和+4价的混合铱氧化物和SnO2组成。内电荷量均比外电荷量大,内电荷、外电荷和总电荷均随温度升高先增后减,320℃的电极具有最高总电荷量513.9 mC·cm-2,保温11 h达到其稳定比电容280 F·g IrO2-1。即使经过360℃热处理,稳定比电容均高于150 F·g IrO2-1。不同热处理温度获得稳定比电容所需要的保温时间符合Arrhenius方程,反应激活能为4.54 kJ/mol。反应激活能小,保温过程对比电容的影响较小。

关 键 词:氧化铱电极  比电容  热处理
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