PLD法在不同氧分压下制备ZnO薄膜的XPS分析 |
| |
引用本文: | 何建廷,杨淑连,魏芹芹,宿元斌. PLD法在不同氧分压下制备ZnO薄膜的XPS分析[J]. 电子元件与材料, 2013, 32(8) |
| |
作者姓名: | 何建廷 杨淑连 魏芹芹 宿元斌 |
| |
作者单位: | 山东理工大学电气与电子工程学院,山东淄博,255049 |
| |
基金项目: | 国家自然科学基金资助项目 |
| |
摘 要: | 在不同氧分压下用脉冲激光沉积法(PLD)在n型硅(111)衬底上生长ZnO薄膜,对薄膜进行了X射线衍射(XRD)和X射线光电子能谱(XPS)分析,研究了氧分压对所制薄膜结晶质量的影响.结果表明,当氧分压为0.13 Pa时,Zn 2p和O1s态电子的结合能较大.随着氧分压的增加,Zn 2p和O1s态电子的结合能变小,说明更多的Zn原子和O原子产生了结合.氧分压为6.50 Pa时,所制ZnO薄膜的XRD衍射峰半高宽最小,其Zn、O粒子数比最接近化学计量比,说明在此氧分压下生长的ZnO薄膜结晶质量最好.
|
关 键 词: | XPS ZnO 脉冲激光沉积 氧分压 化学计量比 峰面积 结合能 |
XPS analysis of ZnO thin films obtained by pulsed laser deposition at various oxygen partial pressures |
| |
Abstract: | |
| |
Keywords: | XPS ZnO pulsed laser deposition oxygen partial pressure stoichiometric ratio peak area binding energy |
本文献已被 万方数据 等数据库收录! |
|