| H3BO3掺杂的Ba5Nb4O15陶瓷的烧结及介电性能 |
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| 引用本文： | 何茗. H3BO3掺杂的Ba5Nb4O15陶瓷的烧结及介电性能[J]. 电子元件与材料, 2013, 32(8): 42-44,52 |
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| 作者姓名： | 何茗 |
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| 作者单位： | 成都工业学院通信工程系,四川成都,610031 |
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| 基金项目： | 中国博士后基金资助项目，四川省教育厅基金资助项目 |
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| 摘 要： | 采用传统的固相烧结工艺制备了H3BO3掺杂的Ba5Nb4O15陶瓷。研究了H3BO3掺杂量对Ba5Nb4O15陶瓷的相成分、微观结构、烧结以及微波介电性能的影响。结果表明:H3BO3掺杂的Ba5Nb4O15陶瓷中,除主晶相Ba5Nb4O15相外,还生成了BaNb2O6和BaB2O4相;H3BO3能够将Ba5Nb4O15陶瓷的烧结温度降低500℃左右,同时没有显著损害该陶瓷的微波介电性能;当H3BO3掺杂量为质量分数1%时,900℃烧结的Ba5Nb4O15陶瓷具有良好的微波介电性能:εr=38.8,Q×f=48 446 GHz,τf=37.0×10–6/℃。
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| 关 键 词： | H3BO3 Ba5Nb4O15 微波介电性能 烧结 陶瓷 掺杂 |
Sintering and dielectric properties of H3BO3-doped Ba5Nb4O15 ceramics |
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| HE Ming. Sintering and dielectric properties of H3BO3-doped Ba5Nb4O15 ceramics[J]. Electronic Components & Materials, 2013, 32(8): 42-44,52 |
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| Authors: | HE Ming |
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| Affiliation: | HE Ming(Communication Engineering Department,Chengdu Technological University,Chengdu 610031,China) |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | H3BO3 Ba5Nb4O15 microwave dielectric properties sintering ceramic doping |
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