| 磁控溅射法制备IrMn顶钉扎自旋阀研究 |
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| 引用本文： | 刘华瑞,任天令,曲炳郡,刘理天,库万军,李伟,杨芝茵. 磁控溅射法制备IrMn顶钉扎自旋阀研究[J]. 功能材料与器件学报, 2003, 9(4): 409-414 |
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| 作者姓名： | 刘华瑞 任天令 曲炳郡 刘理天 库万军 李伟 杨芝茵 |
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| 作者单位： | 1. 清华大学微电子所,北京,100084
2. 深圳华夏磁电子公司,深圳,518004 |
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| 摘 要： | 通过高真空直流磁控溅射的方法,在玻璃和硅上淀积了结构为Ta/NiFe/CoFe/Cu/CoFe/IrMn/Ta的IrMn顶钉扎自旋阀薄膜。通过结构的改善和工艺条件的优化,自旋阀的磁电阻率达到9.12％,矫顽力为1.04×(10~3/4π)A/m。研究了Ta缓冲层厚度(小于6nm)对晶格结构和自旋阀性能的影响。结果表明,Ta为3nm时自旋阀磁电阻率最大,而矫顽力随着Ta厚度增大而减小。利用CoFe/Cu/CoFe SAF结构替换掉与IrMn相邻的CoFe被钉扎层,使交换偏置场从原来没有SAF的180×(10~3/4π)A/m上升到600×(10~3/4π)A/m左右,且交换偏置场随着SAF结构中两层CoFe的厚度差减小而增大。研究了RIE对自旋阀性能的影响,发现2min的RIE能使矫顽力减小33％,而磁电阻率几乎不受影响。
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| 关 键 词： | 自旋阀 巨磁电阻 矫顽力 磁控溅射 磁电阻率 |
| 文章编号： | 1007-4252(2003)04-0409-06 |
| 修稿时间： | 2003-03-10 |
Investigation on high vacuum magnetron sputtering IrMn top spin valve |
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| LIU Hua-rui,REN Tian - ling,QU Bin-jun,LIU Li-tian,KU Wan -jun,LI Wei,YANG Zhi -yin. Investigation on high vacuum magnetron sputtering IrMn top spin valve[J]. Journal of Functional Materials and Devices, 2003, 9(4): 409-414 |
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| Authors: | LIU Hua-rui REN Tian - ling QU Bin-jun LIU Li-tian KU Wan -jun LI Wei YANG Zhi -yin |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | spin valve giant magnetoresistance coercivity |
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