| 碳纳米管材料和碳纳米管基器件的扫描电镜成像 |
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| 引用本文： | 彭练矛,王胜,梁学磊,张志勇,姚昆,胡又凡,高旻,陈清.碳纳米管材料和碳纳米管基器件的扫描电镜成像[J].电子显微学报,2007,26(5):395-399. |
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| 作者姓名： | 彭练矛 王胜 梁学磊 张志勇 姚昆 胡又凡 高旻 陈清 |
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| 作者单位： | 北京大学电子学系,纳米器件物理与化学教育部重点实验室,北京,100871;北京大学电子学系,纳米器件物理与化学教育部重点实验室,北京,100871;北京大学电子学系,纳米器件物理与化学教育部重点实验室,北京,100871;北京大学电子学系,纳米器件物理与化学教育部重点实验室,北京,100871;北京大学电子学系,纳米器件物理与化学教育部重点实验室,北京,100871;北京大学电子学系,纳米器件物理与化学教育部重点实验室,北京,100871;北京大学电子学系,纳米器件物理与化学教育部重点实验室,北京,100871;北京大学电子学系,纳米器件物理与化学教育部重点实验室,北京,100871 |
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| 基金项目： | 国家重点基础研究发展计划纳米研究项目 |
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| 摘 要： | 本文探讨了在扫描电镜中单壁碳纳米管的成像问题.一般情况下碳纳米管的像衬度随入射电子能量,扫描速度,样品基底和环境而变,情况非常复杂.但在一定厚度的SiO2绝缘基底上且与金属电极相连的单壁碳纳米管的成像机理则相对简单.单壁碳纳米管像衬度的贡献主要来源于二次电子而不是背散射电子.像衬度产生的机理主要为SiO2绝缘基底在成像过程中的电荷积累导致的表面电势的变化对于碳纳米管以及周围SiO2基底二次电子发射效率的影响.
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| 关 键 词： | 扫描电子显微镜 碳纳米管 纳米器件 |
| 文章编号： | 1000-6281（2007）05-0395-05 |
| 修稿时间： | 2007-05-17 |
Scanning electron microscopy imaging of single-walled carbon nanotubes and devices |
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| PENG Lian-mao,WANG Sheng,LIANG Xue-lei,ZHANG Zhi-yong,YAO Kun,HU You-fan,GAO Min,CHEN Qing.Scanning electron microscopy imaging of single-walled carbon nanotubes and devices[J].Journal of Chinese Electron Microscopy Society,2007,26(5):395-399. |
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| Authors: | PENG Lian-mao WANG Sheng LIANG Xue-lei ZHANG Zhi-yong YAO Kun HU You-fan GAO Min CHEN Qing |
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| Affiliation: | Key Laboratory for the Physics and Chemical of Nanodevices and Department of Electronics,Peking University,Beijing 100871,China |
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