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| E/D型HEMT DCFL倒相器 | |
| 引用本文： | 杨克武,东熠,蔡克理,冯国进,李晨,王树振,曾庆明.E/D型HEMT DCFL倒相器[J].微纳电子技术,1987(4). |
| 作者姓名： | 杨克武 东熠 蔡克理 冯国进 李晨 王树振 曾庆明 |
| 摘 要： | <正> 一、引言为了满足超高速计算机、高速数据处理和卫星通信等高性能电子系统的迫切需要,人们一直在寻求和开发新的超高速和微波器件。利用异质界面二维电子气(2DEG)高迁移率特性的高电子迁移率晶体管(HEMT)及其IC已显示出巨大的发展潜力和广阔的应用前景。因而成为最有希望的候选者之一。以增强型(E型)HEMT为开关管、耗尽型(D型)HEMT(或饱和电阻)为负载的E/D(或E/R)型直接耦合场效应晶体管逻辑 |
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