| SOI基上制备CuO纳米线 |
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| 引用本文： | 常敬先,李海蓉,马国富,王鹏.SOI基上制备CuO纳米线[J].功能材料,2014(Z1). |
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| 作者姓名： | 常敬先 李海蓉 马国富 王鹏 |
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| 作者单位： | 兰州大学物理科学与技术学院;中国科学院上海微系统与信息技术研究所; |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金资助项目(61204106);甘肃省自然科学基金资助项目(1107RJZA090);信息功能材料国家重点实验室开放课题资助项目(12-668) |
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| 摘 要： | 在SOI基上制备光电纳米器件具有良好的光电集成应用前景,通过铜膜生长法在SOI基上制备了形貌为类针状的Cu(OH)2前驱体纳米线,并采用热处理法600℃条件下成功制备了CuO纳米线。通过扫描电镜(SEM)、透射电镜(TEM)、X射线衍射测试(XRD)对样品结构、形貌进行了表征。SEM、TEM测试结果表明,Cu(OH)2前驱体纳米线结构一致,尺寸均匀,表面光滑。在Cu(OH)2前驱体纳米线上二次生长的CuO纳米线具有类蒲草状细长光滑的结构,CuO纳米线直径约为80~100nm,长度约为10μm,CuO纳米线结晶性良好。
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| 关 键 词： | SOI 铜膜生长法 前驱体 热处理 CuO纳米线 |
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