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| 超净硅片表面化学清洗工艺的优化研究 | |
| 引用本文： | 叶志镇,姜小波,袁骏,李剑光.超净硅片表面化学清洗工艺的优化研究[J].半导体学报,1996,17(5):380-385. |
| 作者姓名： | 叶志镇 姜小波 袁骏 李剑光 |
| 作者单位： | 浙江大学硅材料国家重点实验室 |
| 摘 要： | 本文采用正交试验设计法优化硅片化学清洗工艺，由Ｘ光电子能谱（ＸＰＳ）检测清洗后的硅表面沾污杂质．结果表明，硅表面主要沾污杂质氧和碳的最低含量分别为１e１３／ｃｍ２和３．１e１３／ｃｍ２，均达到超净的水平（～３e１３／ｃｍ２）．本文还研究了Ⅰ号液和Ⅱ号液对硅片表面沾污的影响． |
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