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| 用钼栅提高MOS存储器速度 | |
| 作者姓名： | 孺子牛 |
| 摘 要： | MOS 材料和工艺的改进使 MOS 器件和双极器件之间速度的差距大大缩小。例如,多晶硅栅已把 MOS 的速度提高2～3倍。现在,采用耐熔的金属钼作栅更进一步地缩小了此差距。此技术称为 R/MOS(即耐熔金属栅 MOS),已用于生产。制成的器件,共速度此硅栅电路有更大提高。虽然,此工艺是生产高速器件的工艺之一,典型工作频率高于5兆赫的双相100位 R/MOS 动态移位寄存器,却是 MOS 电路正常生产中最快的一种,另外还有其它一些重要特 |
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