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| 重掺碳基区GaInP／GaAs异质结双极晶体管初探 | |
| 引用本文： | 严北平 潘静. 重掺碳基区GaInP／GaAs异质结双极晶体管初探[J]. 固体电子学研究与进展, 1995, 15(3): 307-308 |
| 作者姓名： | 严北平 潘静 |
| 作者单位： | 西安交通大学电子工程系，河北半导体研究所 |
| 摘 要： | 重掺碳基区ＧａＩｎＰ／ＧａＡｓ异质结双极晶体管初探严北平，潘静，蔡克理，章其麟，罗晋生（西安交通大学电子工程系，７１００４９）（河北半导体研究所，石家庄，０５００５１）ＡＳｔｕｄｙｏｆＧａＩｎＰ／ＧａＡｓ－ＨＢＴｗｉｔｈａＨｅａｖｉｌｙＣ－ｄｏｐｅｄ... |
| 关 键 词： | 双极晶体管 半导体 GaInP／GaAu 异质结 掺碳 |
A Study of GaInP/GaAs-HBT with a Heavily C-doped Base |
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| Abstract: | |
| Keywords: | |
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