| 基于电荷流动晶体管的新型气敏传感器 |
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| 引用本文： | 谢丹,蒋亚东,姜健壮,吴志明,李言荣.基于电荷流动晶体管的新型气敏传感器[J].半导体学报,2001,22(7):933-937. |
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| 作者姓名： | 谢丹 蒋亚东 姜健壮 吴志明 李言荣 |
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| 作者单位： | [1]电子科技大学信息材料工程学院，成都610054 [2]山东大学化学系，济南250100 |
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| 基金项目： | 教育部科学技术研究项目;; |
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| 摘 要： | 在通常的 MOSFET基础上 ,根据电荷流动电容器原理 ,设计了一种新型的栅区开槽的电荷流动场效应管(CFT) ,并以一种新型有机半导体材料——三明治型稀土金属元素镨双酞菁配合物 (PrPc(OC8H1 7) 8]2 为气敏材料 ,取代栅极中的间隙位置 .利用 L B超分子薄膜技术 ,将 PrPc(OC8H1 7) 8]2 以 1∶ 3的配比与十八烷醇 (OA)混合的 L B多层膜 (PrPc(OC8H1 7) 8]2 - OA)拉制在 CFT上 ,形成了一种新型的具有 CFT结构的 L B膜 NO2 气敏传感器 .当对该器件加一栅压 VGS时 (大于阈值电压 ) ,由于高阻敏感膜充电达 VGS需要一段时间 ,因而漏电流出现延迟现象 .
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| 关 键 词： | 气体传感器 电荷流动晶体管(CFT) MOSFET LB膜 二氧化氮(NO2) 镨双酞菁配合物 |
| 文章编号： | 0253-4177(2001)07-0933-05 |
| 修稿时间： | 2000年8月9日 |
A Novel Gas Sensor Based on Charge-Flow Transistor |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | gas sensor charge flow transistor(CFT) MOSFET nitrogen dioxide(NO 2) LB Film praseodymium bis[phthalocyaninato]complex |
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