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| 3GHz～5GHz CMOS超宽带低噪声放大器设计 | |
| 引用本文： | 王宁章,唐江波,秦国宾,卢安栋,罗婕思.3GHz～5GHz CMOS超宽带低噪声放大器设计[J].电子技术应用,2011,37(9):53-55,59. |
| 作者姓名： | 王宁章 唐江波 秦国宾 卢安栋 罗婕思 |
| 作者单位： | 广西大学计算机与电子信息学院,广西南宁,530004 |
| 摘 要： | 提出了一个低噪声、高线性的超宽带低噪声放大器(UWB LNA).电路由窄带PCSNIM LNA拓扑结构和并联低Q负载结构组成,采用TSMC 0.18 μm RFCMOS工艺,并在其输入输出端引入了高阶带通滤波器.仿真结果表明,在1.8V直流电压下LNA的功耗约为10.6 mW.在3 GHz～5 GHz 的超宽带频段内,... |
| 关 键 词： | CMOS 超宽带 低噪声放大器 高阶带通滤波器 并联低Q值负载结构 |
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