| 新型发射极指组合结构功率SiGe HBT热分析 |
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| 引用本文： | 胡宁,张万荣,谢红云,金冬月,陈亮,沈珮,黄璐,黄毅文,王扬.新型发射极指组合结构功率SiGe HBT热分析[J].微电子学,2010,40(2). |
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| 作者姓名： | 胡宁 张万荣 谢红云 金冬月 陈亮 沈珮 黄璐 黄毅文 王扬 |
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| 作者单位： | 北京工业大学,电子信息与控制工程学院,北京,100124 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金资助项目(60776051,60376033);;北京市自然科学基金资助项目(4082007);;北京市教委科技发展计划项目(KM200710005015,KM200910005001);;北京市优秀跨世纪人才基金资助项目(67002013200301);;北京工业大学第一届博士研究生创新计划项目(bcx—2009—012);;模拟集成电路国家级重点实验室基金资助项目(51439010804QT0101) |
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| 摘 要： | 提出了一种发射极指分段和非均匀发射极指长、指间距组合的新型器件结构,以改善多指功率硅锗异质结双极晶体管(SiGe HBT)的热稳定性。考虑器件具有多层热阻,发展建立了相应的热传导模型。以十指功率SiGe HBT为例,运用有限元方法对其进行热模拟,得到三维温度分布。与传统发射极结构器件相比,新结构器件最高结温从416.3 K下降到405 K,各个发射指上的高低温差从7 K～8 K下降为1.5 K～3 K,热阻值下降14.67 K/W,器件整体温度分布更加均匀。
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| 关 键 词： | 异质结双极晶体管 发射极分段 有限元方法 热模拟 |
Thermal Analysis of Power SiGe HBT with Novel Composite Emitter Structure |
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| HU Ning,ZHANG Wanrong,XIE Hongyun,JIN Dongyue,CHEN Liang,SHEN Pei,HUANG Lu,HUANG Yiwen,WANG Yang.Thermal Analysis of Power SiGe HBT with Novel Composite Emitter Structure[J].Microelectronics,2010,40(2). |
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| Authors: | HU Ning ZHANG Wanrong XIE Hongyun JIN Dongyue CHEN Liang SHEN Pei HUANG Lu HUANG Yiwen WANG Yang |
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| Affiliation: | College of Electronic Information and Control Engineering/a>;Beijing University of Technology/a>;Beijing 100124/a>;P.R.China |
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| Abstract: | A novel segmented emitter structure with non-uniform finger length and spacing was proposed to improve thermal stability of multi-finger SiGe HBT power device.Considering various thermal resistances of different components for multi-finger HBT,an appropriate thermal model was developed.By using finite element thermal simulation model,thermal simulation was performed for ten-finger power SiG-e HBT with novel composite emitter structure and 3-dimensional temperature distribution was obtained.Compared with tra... |
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| Keywords: | Heterojunction bipolar transistor Segmented emitter Finite element method Thermal simulation |
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