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一种带2阶温度补偿的负反馈箝位CMOS基准电压源
引用本文:尹勇生,易昕,邓红辉.一种带2阶温度补偿的负反馈箝位CMOS基准电压源[J].微电子学,2017,47(6):774-778.
作者姓名:尹勇生  易昕  邓红辉
作者单位:合肥工业大学 微电子设计研究所, 合肥 230009,合肥工业大学 微电子设计研究所, 合肥 230009,合肥工业大学 微电子设计研究所, 合肥 230009
基金项目:安徽省科技攻关项目(JZ2014AKKG0430);中央高校基本科研业务费专项资金资助项目(2014HGCH0010)
摘    要:根据带隙基准电压源工作原理,设计了一种带2阶温度补偿的负反馈箝位CMOS基准电压源。不同于带放大电路的带隙基准电压源,该基准电压源不会受到失调的影响,采用的负反馈箝位技术使电路输出更稳定。加入了高阶补偿电路,改善了带隙基准电压源的温漂特性。电路输出阻抗的增大有效提高了电源抑制比。基于0.18 μm CMOS 工艺,采用Cadence Spectre软件对该电路进行了仿真,电源电压为2 V,在-40 ℃~110 ℃温度范围内温度系数为4.199 ×10-6/℃,输出基准电压为1.308 V,低频下电源抑制比为78.66 dB,功耗为120 μW,总输出噪声为0.12 mV/Hz。

关 键 词:带隙基准电压源    负反馈    2阶温度补偿
收稿时间:2016/12/23 0:00:00

A Negative Feedback Clamp CMOS Bandgap Voltage Referencewith 2nd Order Temperature Compensation
YIN Yongsheng,YI Xin and DENG Honghui.A Negative Feedback Clamp CMOS Bandgap Voltage Referencewith 2nd Order Temperature Compensation[J].Microelectronics,2017,47(6):774-778.
Authors:YIN Yongsheng  YI Xin and DENG Honghui
Affiliation:Institute of Microelectronics Design,Hefei University of Technology,Hefei 230009,P. R. China,Institute of Microelectronics Design,Hefei University of Technology,Hefei 230009,P. R. China and Institute of Microelectronics Design,Hefei University of Technology,Hefei 230009,P. R. China
Abstract:
Keywords:
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