| 具有新型缓冲层的IGBT特性研究 |
| |
| 引用本文： | 黄仁发,胡冬青,吴郁,贾云鹏,邹世凯,安鹏振,彭领. 具有新型缓冲层的IGBT特性研究[J]. 微电子学, 2017, 47(6): 851-855 |
| |
| 作者姓名： | 黄仁发 胡冬青 吴郁 贾云鹏 邹世凯 安鹏振 彭领 |
| |
| 作者单位： | 北京工业大学 信息学部, 北京 100124,北京工业大学 信息学部, 北京 100124,北京工业大学 信息学部, 北京 100124,北京工业大学 信息学部, 北京 100124,北京工业大学 信息学部, 北京 100124,北京工业大学 信息学部, 北京 100124,北京工业大学 信息学部, 北京 100124 |
| |
| 基金项目： | 国家自然科学基金资助项目(61176071) |
| |
| 摘 要： | 为了降低低压场终止型IGBT的工艺难度并改善其关断特性,对注氢场终止型IGBT(PFS-IGBT)的缓冲层进行了研究,引入了传统场终止型IGBT(FS-IGBT)和线性缓变掺杂场终止型IGBT(LFS-IGBT)来与PFS-IGBT作对比。PFS-IGBT的缓冲层通过多次注氢形成,从背面到内部的掺杂浓度依次降低,具有多个浓度峰值,厚度为20~30 μm。FS-IGBT的缓冲层掺杂浓度较高,厚度为5 μm。LFS-IGBT的缓冲层从背面到内部的掺杂浓度呈线性降低,其厚度为20~30 μm。采用Sentaurus TCAD对三种具有不同缓冲层结构的IGBT(600 V/40 A)的特性进行了分析。结果表明,PFS-IGBT通过控制注氢次数、剂量和能量可以获得最优的掺杂分布,器件性能与LFS-IGBT相当,比FS-IGBT拥有更平缓的电流关断波形和更强的短路坚固性。
|
| 关 键 词： | 绝缘栅双极型晶体管 注氢 场终止 开关特性 短路坚固性 |
| 收稿时间： | 2016-12-16 |
Study on Characteristics of an IGBT with a New Buffer Layer |
| |
| HUANG Renf,HU Dongqing,WU Yu,JIA Yunpeng,ZOU Shikai,AN Pengzhen and PENG Ling. Study on Characteristics of an IGBT with a New Buffer Layer[J]. Microelectronics, 2017, 47(6): 851-855 |
| |
| Authors: | HUANG Renf HU Dongqing WU Yu JIA Yunpeng ZOU Shikai AN Pengzhen PENG Ling |
| |
| Affiliation: | Faculty of Information Technology, Beijing University of Technology, Beijing 100124, P. R. China,Faculty of Information Technology, Beijing University of Technology, Beijing 100124, P. R. China,Faculty of Information Technology, Beijing University of Technology, Beijing 100124, P. R. China,Faculty of Information Technology, Beijing University of Technology, Beijing 100124, P. R. China,Faculty of Information Technology, Beijing University of Technology, Beijing 100124, P. R. China,Faculty of Information Technology, Beijing University of Technology, Beijing 100124, P. R. China and Faculty of Information Technology, Beijing University of Technology, Beijing 100124, P. R. China |
| |
| Abstract: | |
| |
| Keywords: | |
|
| 点击此处可从《微电子学》浏览原始摘要信息 |
|
点击此处可从《微电子学》下载全文 |
|
