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一种缓冲器阻抗动态调整的LDO
引用本文:胡云斌,胡永贵,周前能.一种缓冲器阻抗动态调整的LDO[J].微电子学,2017,47(6):739-742.
作者姓名:胡云斌  胡永贵  周前能
作者单位:重庆邮电大学, 重庆 400065;模拟集成电路重点实验室, 重庆 400060,中国电子科技集团公司 第二十四研究所, 重庆 400060,重庆邮电大学, 重庆 400065;中国电子科技集团公司 第二十四研究所, 重庆 400060
基金项目:模拟集成电路重点实验室基金资助项目(9140C090113150C09043)
摘    要:提出了一种缓冲器阻抗动态调整的LDO结构。采用并联负反馈和阻抗动态调整技术,显著降低了缓冲级的输出阻抗,没有增加额外的静态电流,功率管栅极极点始终远在单位增益带宽之外,对稳定性没有影响。该缓冲级增大了功率管栅极的摆率,提高了LDO瞬态响应性能。基于TSMC 0.18 μm 3.3 V CMOS工艺进行设计,该LDO的输出电压为1.8 V,压差电压为0.2 V,最大输出电流为100 mA。仿真结果显示,LDO的静态电流只有5 μA,当负载电流在10 ns内从0 mA跳变到100 mA时,输出欠冲和过冲电压分别为88.2 mV和34.8 mV。

关 键 词:低压差线性稳压器    源级跟随器    快速瞬态响应
收稿时间:2017/1/9 0:00:00

An LDO with Buffer Impedance Dynamic Adjustment
HU Yunbin,HU Yonggui and ZHOU Qianneng.An LDO with Buffer Impedance Dynamic Adjustment[J].Microelectronics,2017,47(6):739-742.
Authors:HU Yunbin  HU Yonggui and ZHOU Qianneng
Affiliation:Chongqing University of Posts and Telecommunications, Chongqing 400065, P.R.China;Science and Technology on Analog Integrated Circuit Laboratory, Chongqing 400060, P.R.China,Sichuan Institute of Solid-State Circuits, China Electronics Technology Group Corp., Chongqing 400060, P.R.China and Chongqing University of Posts and Telecommunications, Chongqing 400065, P.R.China;Sichuan Institute of Solid-State Circuits, China Electronics Technology Group Corp., Chongqing 400060, P.R.China
Abstract:
Keywords:LDO  Source follower  Fast transient response
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