| 无输出电容的瞬态增强NMOS LDO |
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| 引用本文： | 陈文凯,李斌,吴朝晖.无输出电容的瞬态增强NMOS LDO[J].微电子学,2017,47(4):505-509. |
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| 作者姓名： | 陈文凯 李斌 吴朝晖 |
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| 作者单位： | 华南理工大学 电子与信息学院, 广州 510641,华南理工大学 电子与信息学院, 广州 510641,华南理工大学 电子与信息学院, 广州 510641 |
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| 基金项目： | 广州市产学研专项基金资助项目(2014Y2-00018) |
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| 摘 要： | 提出了一种用于片内数字驱动的瞬态增强NMOS低压差线性稳压器(LDO)。该LDO采用电容耦合动态偏置和双环路推挽式驱动调整管,极大地提高了电路的瞬态响应速度。基于0.35 μm BCD工艺的仿真结果表明,负载电流在0.1~100 mA之间的跃迁时间为100 ns时,电路的下冲电压为42 mV,过冲电压为66 mV,稳定时间仅为323 ns。该LDO电路的总体静态电流约为50 μA,输出电流最大值为100 mA。
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| 关 键 词： | 低压差线性稳压器 NMOS 瞬态增强 无输出电容 动态偏置 |
| 收稿时间： | 2016/8/12 0:00:00 |
A Transient Enhanced Output-Capacitor-Less NMOS Low Dropout Regulator |
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| CHEN Wenkai,LI Bin and WU Zhaohui.A Transient Enhanced Output-Capacitor-Less NMOS Low Dropout Regulator[J].Microelectronics,2017,47(4):505-509. |
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| Authors: | CHEN Wenkai LI Bin and WU Zhaohui |
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| Affiliation: | School of Electronic and Information Engineering, South China Univ. of Technol., Guangzhou 510641, P. R. China,School of Electronic and Information Engineering, South China Univ. of Technol., Guangzhou 510641, P. R. China and School of Electronic and Information Engineering, South China Univ. of Technol., Guangzhou 510641, P. R. China |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | LDO NMOS Transient enhancement Output-capacitor-less Dynamic biasing |
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