| 基于0.15 μm pHEMT的超宽带低噪声放大器 |
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| 引用本文： | 张会,钱国明.基于0.15 μm pHEMT的超宽带低噪声放大器[J].微电子学,2017,47(4):478-482. |
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| 作者姓名： | 张会 钱国明 |
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| 作者单位： | 南京邮电大学 电子科学与工程学院, 南京 210003,南京邮电大学 电子科学与工程学院, 南京 210003 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金资助项目(11403080) |
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| 摘 要： | 采用RC负反馈、源极电感负反馈等方法,设计并制作了一种基于MMIC技术的3~15 GHz超宽带低噪声放大器,在超宽带范围内实现了优良的回波损耗和平坦的高增益。采用0.15 μm GaAs pHEMT工艺进行设计,该放大器的芯片尺寸为2 mm×1 mm,直流功耗为200 mW。在片测试结果表明,带内增益高达28 dB,4~12 GHz带宽范围内的噪声系数低于2 dB,输入/输出回波损耗大于15 dB,测试结果与仿真结果十分吻合。该低噪声放大器可应用于S,C,X,Ku波段外差接收机以及毫米波、亚毫米波接收机的中频模块。
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| 关 键 词： | 赝同晶高电子迁移率晶体管 低噪声放大器 单片微波集成电路 超宽带 |
| 收稿时间： | 2016/9/11 0:00:00 |
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