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一种2.4 GHz CMOS射频前端电路
引用本文:陈浪,乐建连,甘业兵,钱敏,叶甜春.一种2.4 GHz CMOS射频前端电路[J].微电子学,2017,47(5):609-613.
作者姓名:陈浪  乐建连  甘业兵  钱敏  叶甜春
作者单位:中国科学院微电子研究所, 北京 100029,中国科学院微电子研究所, 北京 100029;杭州中科微电子有限公司, 杭州 310053,中国科学院微电子研究所, 北京 100029;杭州中科微电子有限公司, 杭州 310053,中国科学院微电子研究所, 北京 100029;杭州中科微电子有限公司, 杭州 310053,中国科学院微电子研究所, 北京 100029
摘    要:基于0.18 μm CMOS工艺,设计了一种面向低速率低功耗应用的2.4 GHz射频前端电路,包含2个单刀双掷开关、1个功率放大器和1个低噪声放大器。采用栅衬浮动电压偏置技术对传统单刀双掷开关进行了改进,以提高其线性度;功率放大器采用两级放大结构,对全集成的低噪声放大器进行了噪声优化;集成了输入输出匹配网络,采用了到地电感,以提高输入输出端的ESD性能。在接收模式时,电路的静态电流为10.7 mA,增益为11.7 dB,IIP3为2.1 dBm,噪声系数为3.4 dB。在发射模式时,电路的静态电流为17.4 mA,功率增益为17.7 dB,输出P1dB为20 dBm,饱和功率为21.4 dBm,最大PAE为23.8%,在输出功率为20 dBm时的频谱满足802.15.4协议要求。

关 键 词:射频前端    低噪声放大器    单刀双掷开关    功率放大器    全集成
收稿时间:2016/12/8 0:00:00

A 2.4 GHz CMOS RF Front-End Circuit
CHEN Lang,LE Jianlian,GAN Yebing,QIAN Min and YE Tianchun.A 2.4 GHz CMOS RF Front-End Circuit[J].Microelectronics,2017,47(5):609-613.
Authors:CHEN Lang  LE Jianlian  GAN Yebing  QIAN Min and YE Tianchun
Affiliation:Institute of Microelectronics, Chinese Academy of Sciences, Beijing 100029, P.R.China,Institute of Microelectronics, Chinese Academy of Sciences, Beijing 100029, P.R.China;Hangzhou Zhongke Microelectronics Co., Ltd., Hangzhou 310053, P.R.China,Institute of Microelectronics, Chinese Academy of Sciences, Beijing 100029, P.R.China;Hangzhou Zhongke Microelectronics Co., Ltd., Hangzhou 310053, P.R.China,Institute of Microelectronics, Chinese Academy of Sciences, Beijing 100029, P.R.China;Hangzhou Zhongke Microelectronics Co., Ltd., Hangzhou 310053, P.R.China and Institute of Microelectronics, Chinese Academy of Sciences, Beijing 100029, P.R.China
Abstract:
Keywords:RF front-end  LNA  SPDT  Power amplifier  Fully integration
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