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| 扫描隧道显微镜对InAs/GaAs自组织生长量子点的准原位研究 | |
| 引用本文： | 赵谦,封松林,王志明.扫描隧道显微镜对InAs/GaAs自组织生长量子点的准原位研究[J].半导体学报,1998,19(2):158-160. |
| 作者姓名： | 赵谦 封松林 王志明 |
| 作者单位： | 中国科学院半导体研究所 |
| 摘 要： | 本文报道了用ＭＢＥ－ＳＰＭ联合系统对ＩｎＡｓ／ＧａＡｓ量子点进行准原位研究的初步结果．ＳＴＭ图像表明，在对ｎ＋－ＧａＡｓ衬底进行脱氧处理后，通过生长ＧａＡｓ缓冲层能有效的改善表面质量．在缓冲层上继续生长２单原子层ＩｎＡｓ后形成了量子点．ＳＰＭ与透射电子显微镜给出的量子点形貌的异同在文中也给出了合理的解释，该研究工作的进一步深入将对自组织生长量子点的生长机理的理解和样品质量的提高有重要意义． |
| 关 键 词： | MBE－SPM 砷化镓 砷化铟 量子点 STM |
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