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| MOCVD工艺生长的可见光窄条激光器的可靠性和均匀性 | |
| 引用本文： | O.松田,屈积建.MOCVD工艺生长的可见光窄条激光器的可靠性和均匀性[J].半导体光电,1983(1). |
| 作者姓名： | O.松田 屈积建 |
| 作者单位： | 索尼公司研究中心 |
| 摘 要： | 我们首次报导了MOCVD生长的质子轰击隔离窄条结构可见光激光器系统的寿命试验结果。在大面积衬底(直径50mm)上生长了(Al_xGa_(1-x))As有源层(x=0.13)和限制层(x=0.43)常规DH站构。该激光器具有“自校准质子隔离窄条”结构。在条宽和质子注入深度上,该结构是最佳化,即掩膜宽5μm,在有源层上方0.5μm。对于一个由31块芯片组成的、腔长220μm的条形试验样品(样品长13mm)来说,其CW阈值电流约53mA,其标准偏差低达1.4%(图1)。其均匀性堪与在这类激光器中已获得的最佳结果相比。激射波长为 |
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