双极LSI中的CE漏电问题

NPN工艺中常碰到CE漏电问题,尤其是管道漏电,因为在LSI中元件既多又密,少数的CE结漏电便会使成品率大大降低。例如一个TTL128位存贮器有760个发射区,一个ECL256位存贮器有1500个左右发射区。即使1％的CE结漏电也不能得到高的成品率。我所在1974至1975年研制TTL128位存贮器过程中,首先就碰到CE结漏电较大的困难,尤其当基区结深在1.5微米以内时,矛盾就更为突出。经过几年的努力,找到了漏电的主要原因和克服的一些办法。目前在研究ECL64位和256位存贮器中CE漏电的发射区可以稳定在1％以下。下面是这方面工作的小结。