| X波段GaN MMIC低噪声放大器设计 |
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| 引用本文： | 刘飞飞,要志宏,宋学峰,刘帅.X波段GaN MMIC低噪声放大器设计[J].半导体技术,2015,40(5):358-363. |
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| 作者姓名： | 刘飞飞 要志宏 宋学峰 刘帅 |
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| 作者单位： | 中国电子科技集团公司第十三研究所,石家庄,050051;中国电子科技集团公司第十三研究所,石家庄,050051;中国电子科技集团公司第十三研究所,石家庄,050051;中国电子科技集团公司第十三研究所,石家庄,050051 |
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| 摘 要： | 采用SiC衬底0.25 μm AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)工艺,研制了一款X波段GaN单片微波集成电路(MMIC)低噪声放大器(LNA).放大器采用三级级联拓扑,第一级采用源极电感匹配,在确保良好的输入回波损耗的同时优化放大器噪声系数;第三级采用电阻电容串联负反馈匹配,在尽量降低噪声系数的前提下,保证良好的增益平坦度、输出端口回波损耗以及输出功率.在片测试表明,在10 V漏级电压、-2 V栅极电压偏置下,放大器静态电流为60 mA,8～12 GHz内增益为22.5 dB,增益平坦度为±1.2 dB,输入输出回波损耗均优于-11 dB,噪声系数小于1.55 dB,1 dB增益压缩点输出功率大于11.9 dBm,其芯片尺寸为2.2 mm×1.1 mm.装配测试表明,噪声系数典型值小于1.6 dB,可承受33 dBm连续波输入功率.该X波段GaN低噪声放大器与高功率放大器工艺兼容,可以实现多功能集成,具有广阔的工程应用前景.
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| 关 键 词： | 氮化镓 高电子迁移率晶体管(HEMT) 单片微波集成电路(MMIC) 低噪声放大器(LNA) X波段 |
Design of X-Band GaN MMIC Low Noise Amplifier |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | GaN high electron mobility transistor (HEMT) monolithic microwave integrated circuit (MMIC) low noise amplifier (LNA) X-band |
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