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| 诱导成核生长LiNdP_4O_(12)晶体 | |
| 引用本文： | 张顺兴,谢燕燕,金继华,施振华,袁刚.诱导成核生长LiNdP_4O_(12)晶体[J].硅酸盐学报,1982(2). |
| 作者姓名： | 张顺兴 谢燕燕 金继华 施振华 袁刚 |
| 作者单位： | 中国科学院上海光学精密机械研究所 (张顺兴，谢燕燕，金继华，施振华)，中国科学院上海光学精密机械研究所(袁刚) |
| 摘 要： | 本实验改进了助熔剂缓冷法生长LiNdP_4O_(12)晶体工艺。采用加铂丝诱导成核和合适的温控程序,可以大大减少结晶成核个数,从而增大了单晶尺寸,提高了光学质量晶体的产率。获得的光学质量片状单晶,一般尺寸为8×6×3mm,最大达到12×10×2mm。 |
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