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| B~+和P~+离子注入在n-Si中产生缺陷能级的进一步研究 | |
| 作者姓名： | 孙璟兰 陈建新 李名复 |
| 作者单位： | 中国科学技术大学研究生院(孙璟兰)，北京工业大学微电子学研究室(陈建新)，中国科学技术大学研究生院(李名复) |
| 摘 要： | 用快速的电流DLTS和最低温度达10K的低温样品架对过去报道过的n型Si中B~+,200keV,2.5 × 10~(11)cm~(-2)和P~+,240keV,4.4 × 10~(11)cm~(-2)离子注入产生的新能级重新作了测量.在注B~+样品中,发现三个新的电子陷阱E_6(0.16),E_7(0.15),E_8(0.08),其中E_7具有很大的浓度.在注P~+样品中,发现二个新的电子陷阱,其中E_7与注硼样品属于同一种中心,因此可能与硼无关.另一个E_3＂(0.09). |
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