| 深亚微米/纳米CMOS器件离子蚀刻新技术 |
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| 引用本文： | 成立,王振宇,武小红,范木宏,祝俊,赵倩. 深亚微米/纳米CMOS器件离子蚀刻新技术[J]. 半导体技术, 2005, 30(1): 35-40 |
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| 作者姓名： | 成立 王振宇 武小红 范木宏 祝俊 赵倩 |
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| 作者单位： | 江苏大学电气信息工程学院,江苏,镇江,212013;江苏大学电气信息工程学院,江苏,镇江,212013;江苏大学电气信息工程学院,江苏,镇江,212013;江苏大学电气信息工程学院,江苏,镇江,212013;江苏大学电气信息工程学院,江苏,镇江,212013;江苏大学电气信息工程学院,江苏,镇江,212013 |
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| 基金项目： | 江苏省高校自然科学基金 |
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| 摘 要： | 综述了制备深亚微米/纳米CMOS器件的离子蚀刻新技术:考夫曼(Kaufman)离子铣蚀刻、氟基气体多晶硅蚀刻、氯基或溴基气体硅深蚀刻、电子回旋共振(ECR)蚀刻系统和电感耦合等离子体蚀刻器(ICPE)等,并对比分析了上述蚀刻技术各自的优缺点及其应用要点.
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| 关 键 词： | 超大规模集成电路 纳米CMOS器件 离子束蚀刻 考夫曼离子源 电子回旋共振 电感耦合等离子体蚀刻器 |
| 文章编号： | 1003-353X(2005)01-0035-06 |
Several New Ion Etching Technologies of Fabricating Deep Submicron/Nanometer CMOS Devices |
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| CHENG Li,WANG Zhen-yu,WU Xiao-hong,FAN Mu-hong,ZHU Jun,ZHAO Qian. Several New Ion Etching Technologies of Fabricating Deep Submicron/Nanometer CMOS Devices[J]. Semiconductor Technology, 2005, 30(1): 35-40 |
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| Authors: | CHENG Li WANG Zhen-yu WU Xiao-hong FAN Mu-hong ZHU Jun ZHAO Qian |
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| Abstract: | Ion etching technologies for fabricating deep submicron /nanometer CMOS devices, which including Kaufman ion milling etching, the fluorine-based gas polycrystalline silicon etching, the chlorine-based or bromine-based gas silicon deep-etching, the electron cyclotron resonance etching system and the inductively coupled plasma etcher are summarized, also the strong and weak points and the main application points of these new ion etching technologies are analysed and compared in more details. |
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| Keywords: | VLSI nanometer CMOS device ion beam etching Kaufman ion source ECR inductively coupled plasma etcher(ICPE) |
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