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| 粉末电热体加热法合成碳化硅晶片 | |
| 引用本文： | 孟永强,白志民,戴长虹.粉末电热体加热法合成碳化硅晶片[J].稀有金属材料与工程,2008,37(Z1):428-430. |
| 作者姓名： | 孟永强 白志民 戴长虹 |
| 作者单位： | 1. 中国地质大学,北京,100083;河北科技大学,河北,石家庄,050054 2. 中国地质大学,北京,100083 3. 青岛理工大学,山东,青岛,266033 |
| 摘 要： | 常规加热技术生产的碳化硅晶片能耗大、成本高,所以在国内外市场上碳化硅晶片的供应量少、价格高,限制了碳化硅晶片在复合材料中的广泛应用.采用粉末电热体加热技术,以SiO2微粉和碳黑为原料,在较低合成温度1900℃下、较短的合成时间3 h内得到了直径为50～200μm、厚度为5～20 μm的碳化硅晶片,并探讨了合成碳化硅晶片的影响因素.研究表明,该加热技术的推广与应用,可以有效地实现碳化硅晶片的低成本、规模化生产. |
| 关 键 词： | 粉末电热体加热法 碳化硅 晶片 |
| 文章编号： | 1002-185X(2008)S1-428-03 |
| 修稿时间： | 2007年9月10日 |
Silicon Carbide Platelets Prepared by Powder-Electrical Heating |
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| Meng Yongqiang,Bai Zhimin,Dai Changhong.Silicon Carbide Platelets Prepared by Powder-Electrical Heating[J].Rare Metal Materials and Engineering,2008,37(Z1):428-430. | |
| Authors: | Meng Yongqiang Bai Zhimin Dai Changhong |
| Abstract: | |
| Keywords: | |
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