| Si-Ge粉粒在冷等离子体中沉降的提纯效应分析 |
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| 引用本文： | 陶甫廷,王敬义,王宇,冯信华,罗文广,张巍,陈文辉. Si-Ge粉粒在冷等离子体中沉降的提纯效应分析[J]. 半导体技术, 2000, 25(3): 43-46 |
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| 作者姓名： | 陶甫廷 王敬义 王宇 冯信华 罗文广 张巍 陈文辉 |
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| 作者单位： | 1. 广西工学院计算机与电气工程系,柳州,545005
2. 华中理工大学电子科学与技术系,武汉,430074 |
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| 摘 要： | 本文论述了粉粒在等离子体中的影响 ,并利用所提供的受力和加速度模型 ,进行了具体计算。最后分析了沉降时间的各种影响因素和提纯效果。
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| 关 键 词： | 沉降时间 冷等离子体 提纯效应 硅 锗 粉粒 |
Purity Effect Analysis of SiGe Particulates Drop in Cold Plasma |
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| Tao Futing,Wang Jingyi,Wang Yu,Feng Xinhua,Luo Wenguang,Zhang Wei,Chen Wenhui. Purity Effect Analysis of SiGe Particulates Drop in Cold Plasma[J]. Semiconductor Technology, 2000, 25(3): 43-46 |
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| Authors: | Tao Futing Wang Jingyi Wang Yu Feng Xinhua Luo Wenguang Zhang Wei Chen Wenhui |
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| Affiliation: | Tao Futing,Wang Jingyi *,Wang Yu *,Feng Xinhua *,Luo Wenguang,Zhang Wei,Chen Wenhui |
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| Abstract: | The influence of particulates on plasma are discussed in this paper.The concrete calculations are made by using the models of force and acceleration.The factors of drop time and the purity effects are analyzed. |
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| Keywords: | Drop time Cold plasma Purity effects |
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