| 高能效半有源射频识别标签的分析与设计 |
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| 引用本文： | 车文毅,关硕,王肖,熊廷文,奚经天,谈熙,闫娜,闵昊.高能效半有源射频识别标签的分析与设计[J].半导体学报,2010,31(7):075013-7. |
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| 作者姓名： | 车文毅 关硕 王肖 熊廷文 奚经天 谈熙 闫娜 闵昊 |
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| 基金项目： | 国家重点实验室项目 No. 09MS009 |
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| 摘 要： | 本文介绍了一款半有源射频识别标签的分析与设计。通过将多级AC-DC电荷泵的能量转换效率模型引入到反向散射射频识别系统的功率传输链路中，本文给出了计算半有源标签最大读写距离的数学方法，以及当读写距离限制因素改变时，制定标签功耗设计指标和反向散射调制系数的方法。在理论分析的指导下，本文设计了一颗半有源标签的测试芯片，芯片采用SMIC 0.18 μm标准CMOS工艺流片实现。主要的功能模块包括了一个采用阈值补偿技术的电荷泵和采用功率唤醒模式的低功耗唤醒电路。本文设计的半有源标签完全兼容EPC C1G2标准，芯片面积为0.54 mm2，支持输出电压在1.2到2.4 V范围内的电池。
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| 关 键 词： | RFID标签 设计 被动式 权力 RFID系统 电源转换效率 CMOS工艺 散射功率 |
Analysis and design of power efficient semi-passive RFID tag |
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| Che Wenyi,Guan Shuo,Wang Xiao,Xiong Tingwen,Xi Jingtian,Tan Xi,Yan Na and Min Hao.Analysis and design of power efficient semi-passive RFID tag[J].Chinese Journal of Semiconductors,2010,31(7):075013-7. |
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| Authors: | Che Wenyi Guan Shuo Wang Xiao Xiong Tingwen Xi Jingtian Tan Xi Yan Na and Min Hao |
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| Affiliation: | State Key Laboratory of ASIC and System, Auto-ID Laboratory, Fudan University, Shanghai 201203, China;State Key Laboratory of ASIC and System, Auto-ID Laboratory, Fudan University, Shanghai 201203, China;State Key Laboratory of ASIC and System, Auto-ID Laboratory, Fudan University, Shanghai 201203, China;State Key Laboratory of ASIC and System, Auto-ID Laboratory, Fudan University, Shanghai 201203, China;State Key Laboratory of ASIC and System, Auto-ID Laboratory, Fudan University, Shanghai 201203, China;State Key Laboratory of ASIC and System, Auto-ID Laboratory, Fudan University, Shanghai 201203, China;State Key Laboratory of ASIC and System, Auto-ID Laboratory, Fudan University, Shanghai 201203, China;State Key Laboratory of ASIC and System, Auto-ID Laboratory, Fudan University, Shanghai 201203, China |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | RFID semi-passive tag power conversion efficiency AC--DC charge pump wake-up circuit |
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