三维多孔CuCo_2O_4的制备及其超级电容性能研究

以硝酸铜和硝酸钴为原料、聚乙二醇2000为结构导向剂,用共沉淀法制备α型Co-Cu层状双氢氧化物,在200℃煅烧4h得到三维多孔钴酸铜。采用X射线粉末衍射(XRD)、循环伏安(CV)和场发射扫描电镜(FESEM)对其进行表征分析。结果表明,掺杂的Cu2+对部分Co2+进行了同晶置换,钴酸铜纳米颗粒间无序堆积形成三维多孔结构,丰富了电极材料发生氧化还原反应的活性位点,有利于电解质离子的渗透和快速迁移。将该三维多孔钴酸铜作工作电极,表现出优良的超电容性能。1A/g时比电容高达622F/g,10A/g时比电容保持率为80%,7A/g时经过2000次循环后其寿命未见衰减,具有优异的倍率特性和杰出的循环稳定性。