| 脉冲电压对内花键齿Si-DLC薄膜微观结构及性能的影响EI北大核心CSCD |
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| 引用本文： | 徐天杨,詹华,张艳静,吴佳亿,汪瑞军. 脉冲电压对内花键齿Si-DLC薄膜微观结构及性能的影响EI北大核心CSCD[J]. 中国表面工程, 2022, 35(6): 257-265 |
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| 作者姓名： | 徐天杨 詹华 张艳静 吴佳亿 汪瑞军 |
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| 作者单位： | 中国农业机械化科学研究院 北京 100083 ；哈尔滨工业大学先进焊接与连接国家重点实验室 哈尔滨 150001 ；北京金轮坤天特种机械有限公司 北京 100083 |
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| 基金项目： | 先进焊接与连接国家重点实验室开放课题研究基金资助项目(AWJ-21M14) |
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| 摘 要： | 为提高花键齿表面硬度和耐磨性,利用空心阴极放电(HCD)产生的高密度等离子体,在内花键齿表面,采用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)技术制备Si-DLC薄膜,并研究脉冲电压变化对花键齿表面Si-DLC薄膜微观结构及性能的影响。结果表明:拉曼光谱显示增加脉冲电压可以减少Si-DLC薄膜中的sp^(3)杂化键含量。随着脉冲电压增加,键齿表面Si-DLC薄膜厚度和沉积速率先增加后降低,在脉冲电压为-1100 V时达到最大。在相同的脉冲电压条件下,花键齿顶处Si-DLC薄膜的厚度最大,齿中处Si-DLC薄膜厚度最小。Si-DLC薄膜的显微硬度随着脉冲电压的升高逐渐降低,硬度可达800~1300 HV0.025。Si-DLC薄膜能显著降低花键齿的摩擦因数,且脉冲电压为-900 V时,制备的Si-DLC薄膜有着最优的减摩效果,沿花键齿廓方向上的Si-DLC薄膜的摩擦因数均小于0.1。Si-DLC薄膜的制备提高了花键齿表面的硬度和耐磨性,为其他机械传动部件表面耐磨薄膜的制备奠定了基础。
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| 关 键 词： | 内花键齿 Si-DLC薄膜 力学性能 摩擦学性能 |
Effects of Pulse Voltage on Microstructure and Properties for Si-DLC Films on Internal Spline Tooth |
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| XU Tianyang,ZHAN Hu,ZHANG Yanjing,WU Jiayi,WANG Ruijun. Effects of Pulse Voltage on Microstructure and Properties for Si-DLC Films on Internal Spline Tooth[J]. China Surface Engineering, 2022, 35(6): 257-265 |
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| Authors: | XU Tianyang ZHAN Hu ZHANG Yanjing WU Jiayi WANG Ruijun |
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