| IGCT的原理性电学模型与动态特性仿真 |
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| 引用本文： | 段大鹏,江秀臣,孙才新.IGCT的原理性电学模型与动态特性仿真[J].高电压技术,2008,34(1):196-200,206. |
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| 作者姓名： | 段大鹏 江秀臣 孙才新 |
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| 作者单位： | 1. 上海交通大学电气工程系,上海,200030
2. 重庆大学高电压与电工理论新技术教育部重点实验室,重庆,400044 |
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| 摘 要： | 集成门极换向晶闸管(IGCT)因具有开关速度快、损耗低、容量大、导通管压降低等优越性能而正逐渐广泛地应用于中压大功率领域,但国内外仿真软件中尚无IGCT的器件仿真模型。为此根据IGCT的结构特点、工作原理、额定参数以及外总电学特性,应用两个Hu-Ki模型并联的优化模型及ORCAD建立了IGCT的原理性电学模型,给出了模型的电路图及元件参数,并应用该模型进行了IGCT的动态特性仿真与分析,给出了开通、关断电压和电流波形,关断功率脉冲波形,门极关断电压和电流波形。仿真结果显示仿真的IGCT器件关断时间2μs,关断能量约0.1J,关断时门极反向电流峰值25A,表现出明显的反向抽取作用,与实测波形保持了很好的一致性。该模型意义明确、描述准确、结构简单、仿真速度较快,且有一定的通用性,可用于IGCT器件与简单系统的仿真研究,为IGCT的选择应用、器件匹配与保护电路的设计提供研究手段与设计参考。
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| 关 键 词： | 集成门极换向晶闸管(IGCT) Hu-Ki模型 ORCAD软件 原理性电学模型 动态特性 仿真 |
| 文章编号： | 1003-6520（2008）01-0196-05 |
| 收稿时间： | 2007-05-28 |
| 修稿时间： | 2007年5月28日 |
Principle-electrics Model of IGCT and Dynamic Characteristic Simulation |
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| DUAN Da-peng,JIANG Xiu-chen,SUN Cai-xin.Principle-electrics Model of IGCT and Dynamic Characteristic Simulation[J].High Voltage Engineering,2008,34(1):196-200,206. |
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| Authors: | DUAN Da-peng JIANG Xiu-chen SUN Cai-xin |
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| Affiliation: | 2(l. Department of Electrical Engineering, Shanghai Jiaotong University, Shanghai 200030, China;2. The Key Laboratory of High Voltage Engineering and Electrical New Technology, Ministry of Education, Chongqing University, Chongqing 400044, China) |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | integrated gate commutated thyristor(IGCT) Hu-Ki model ORCAD software the principle-electrics model dynamic characteristic simulation |
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