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一种新的有沟道注入的短沟MOSFET的阈电压解析模型
作者姓名:
陈大同 李志坚
作者单位:
清华大学微电子所(陈大同),清华大学微电子所(李志坚)
摘 要:
本文提出一个非均匀掺杂、短沟道MOSFET阈电压的准二维解析模型。用此模型对各种不同条件下的微米、亚微米MOSFET的阈电压进行了计算,其结果与二维数值分析程序得到的结果相符甚好。本模型可用于电路分析程序,工艺容错分析及器件的优化设计。
关 键 词:
MOSFET 沟道 离子注入 阈电压 模型
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