| 600伏高压LDMOS的实现 |
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| 引用本文： | 项骏,林争辉. 600伏高压LDMOS的实现[J]. 微电子学与计算机, 2004, 21(11): 149-152 |
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| 作者姓名： | 项骏 林争辉 |
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| 作者单位： | 上海交通大学电子工程系,上海,200030 |
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| 摘 要： | 综合利用RESURF技术、内场限环技术及双层浮空场板技术，充分降低高压LDMOS的表面电场，使用常规低压工艺，最终实现600伏高压LDMOS。本文介绍了此高压LDMOS的设计方法、器件结构、制造工艺和测试结果。
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| 关 键 词： | RESURF技术 内场限环技术 双层浮空场板技术 PISCES—П 600伏高压LDMOS |
| 文章编号： | 1000-7180(2004)11-149-04 |
| 修稿时间： | 2004-05-31 |
Implementation of 600v High Voltage LDMOS |
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| XIANG Jun,LIN Zheng-hui. Implementation of 600v High Voltage LDMOS[J]. Microelectronics & Computer, 2004, 21(11): 149-152 |
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| Authors: | XIANG Jun LIN Zheng-hui |
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| Abstract: | The 600v blocking capability of LDMOS which is suitable for HVIC(High Voltage Integrated Circuit)has been achieved using RESURF(Reduced Surface Field), Internal Field Ring and Floating Field Plate with conventional low-voltage IC technology. The design, structure, process and testing result are described here. |
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| Keywords: | |
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