| 微弱神经信号探测CMOS放大器 |
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| 引用本文： | 郑春, 李文渊. 微弱神经信号探测CMOS放大器[J]. 电子器件, 2009, 32(1) |
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| 作者姓名： | 郑春 李文渊 |
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| 作者单位： | 东南大学集成电路学院,南京,210096;东南大学集成电路学院,南京,210096 |
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| 摘 要： | 采用CSMC 0. 5 μm CMOS工艺设计了微弱神经信号探测放大器芯片.电路适用于卡肤电极.电路采用并联运算放大器差动输入的三运放结构,具有输入阻抗高、共模抑制比高的特点.为防止运算放大器产生振荡,采用了带调零电阻的密勒补偿技术对运放进行频率补偿.电路工作电压±2.5 V,单个运放的功耗为734 μW,增益86.2 dB.电路功耗1.9 mW,增益80 dB,3 dB带宽大于10 kHz,可满足神经信号探测的应用要求.
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| 关 键 词： | 神经信号探测 运算放大器 CMOS工艺 卡肤电极 |
CMOS Amplifier for Weak Neural Signal Detection |
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| ZHENG Chun,LI Wen-yuan. CMOS Amplifier for Weak Neural Signal Detection[J]. Journal of Electron Devices, 2009, 32(1) |
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| Authors: | ZHENG Chun LI Wen-yuan |
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| Affiliation: | Institute of RF-&OE-ICs;Southeast University;Nanjing 210096;China |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | neural signal detection operational amplifier CMOS technology cuff electrode |
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