外基区电阻对共发射极饱和压降的影响

本文分析了外基区串联电阻r_(bb)对共发射极饱和压降v_(ccs)产生明显影响的条件。近似认为r_(bb)上的压降是流入有源基区的基极电流I_(bb)与r_(bb)的乘积,从而给出了与I_(bb)·r_(bb)有关的V_(ccs)的粗略表达式。由式中可以看出在I_(bb)·r_(bb)较大时才会对V_(ccs)产生明显影响,并用单管模拟验证了以上分析。这种情况在实际生产中有时是会遇到的,特别是功率晶体管。在此基础上,对某集成电路中的功率晶体管改变了设计以降低r_(bb),确实得到了降低V_(ccs)效果,而且V_(ccs)降低的程度和V_(ccs)的粗略表达式估计的结果相接近。