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| 如何给砷化镓场效应晶体管偏置以获得最佳性能 | |
| 引用本文： | G.E.Brehm,行军,赵克俊.如何给砷化镓场效应晶体管偏置以获得最佳性能[J].微纳电子技术,1975(2). |
| 作者姓名： | G.E.Brehm 行军 赵克俊 |
| 摘 要： | 经过过去二到三年的发展,砷化镓微波场效应晶体管已从实验室阶段进入到实用化阶段。目前正在用作C波段和X波段低噪声放大器,振荡器方面的应用正在研究。由于砷化镓场效应晶体管是较为新型的器件,许多使用者对其性能和功用可能还不太熟悉。为了选择放大器或振荡器的工作点,有必要了解器件的特性;要确定偏置的变化对S参数和噪声系数的影响,则这种了解更为重要。例如。随着漏电流的变化,由S参数计算出来的增益在相当宽的范围内保持一峰值,这说明最佳增益并不需要临界偏 |
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