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| nμc-Si:H/SiO_x/Ag隧道背面接触对a-Si:H太阳能电池性能的影响 | |
| 作者姓名： | 李海峰 熊华 刁宏伟 郑怀德 廖显伯 |
| 作者单位： | 中国科学院半导体研究所 北京100083(李海峰，熊华，刁宏伟，郑怀德)，中国科学院半导体研究所 北京100083(廖显伯) |
| 摘 要： | 本文研究了用 nμc-Si:H/SiO_x/Ag结构取代 nμc-Si:H/Ag结构对 a-Si:H pin型单结太阳能电池光伏参数的影响,观测到这种电池的填充因子和短路电流有所改善,文中对这些参数改善的机制作出了解释. |
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