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| Si在TiN(001)表面吸附特性的第一原理研究 | |
| 作者姓名： | 刘学杰 邱阳 孙士阳 |
| 作者单位： | 内蒙古科技大学机械工程学院,内蒙古,包头,014010 |
| 摘 要： | 本文基于密度泛函理论的第一原理方法,研究了Si在TiN(001)表面的吸附问题。首先计算了TiN的晶格常数值,得到了比较满意的结果。其次计算了Si原子在TiN(001)不同的吸附位置的吸附能,加以比较,计算得到HOLLOW位是比较理想的吸附位置。 |
| 关 键 词： | 第一原理 晶格常数 吸附能 |
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