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新型低插损的铁电移相材料
引用本文:赵吉成,曹全喜,王霞. 新型低插损的铁电移相材料[J]. 电子元件与材料, 2007, 26(2): 37-39
作者姓名:赵吉成  曹全喜  王霞
作者单位:西安电子科技大学技术物理学院,陕西,西安,710071;西安电子科技大学技术物理学院,陕西,西安,710071;西安电子科技大学技术物理学院,陕西,西安,710071
摘    要:实验研究了Bi2O3掺杂量对钛酸锶钡/氧化镁复合体系介电常数、介质损耗等性能的影响。结果表明控制掺杂Bi2O3质量分数在0.25%左右时,Ku频段f在12~18 GHz,εr为170左右,tanδ为0.01左右,材料的电性能得到大大的改善,满足了雷达移相器的应用要求。

关 键 词:无机非金属材料  氧化铋  BST  铁电材料  移相器
文章编号:1001-2028(2007)02-0037-03
修稿时间:2006-09-19

New lower loss ferroelectric material for phase shift
ZHAO Ji-cheng,CAO Quan-xi,WANG Xia. New lower loss ferroelectric material for phase shift[J]. Electronic Components & Materials, 2007, 26(2): 37-39
Authors:ZHAO Ji-cheng  CAO Quan-xi  WANG Xia
Abstract:Effects of bismuth oxide on dielectric constant and dielectric loss in barium strontium titanate magnesium oxide composite system were investigated.The results show that the material properties can be dramatically improved by properly controlling the percentage of doped Bi2O3,so it will be more satisfied for radar phase shifter.The 0.25 % doped sample demonstrates the desirable properties,including low dielectric constant εr is about 170 and dielectric loss tan δ is about 0.01 at Ku band.
Keywords:non-metallic inorganic material   bismuth oxide   BST   ferroelectrics   phase shifter
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